春风十里不如你
AT无视成本大把花钱：一个交通项目建28个人行横道_我的网站
A | 当地时间8月23日，半导体行业研究机构SemiAnalysis发文称，NAND闪存制造正从钨转向钼，因为当NAND来到300层以上，钼是必选项。 Sophie 编译 作为一项耗资2930万纽币的自行车和道路改善项目的一部分，奥克兰交通局（AT）正在建设至少28个加高的人行横道，该项目位于Point Chevalier和Westmere之间。
此前媒体曝光了人行横道的成本高达50万纽币的消息，AT上个月启动了一项审查，以寻求将人行横道的数量和成本降至最低。
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上个月，英文《先驱报》透露，AT在12个有信号灯的人行横道上花费了600万纽币，每个的平均成本为50万纽币，市长Wayne Brown对他在Ponsonby家附近花费49万纽币修建的人行横道大发雷霆，称AT“搞砸了”。
SemiAnalysis分析，3D NAND闪存堆叠层数突破300层后，钨字线在电阻、化学兼容性和深孔填充三方面均触及物理极限，钼成为强制替代材料。
“这不是一个新的人行横道。三星已于2024年量产，美光2025年跟进，SK海力士计划2026年底推出375层钼工艺产品。我们花了49万纽币，把一个旧的人行横道从人行横道建成了人行横道，它本来就好好的。其估计，钼在NAND总产能中的占比将从2025年的中个位数百分比，增长至2027年的约30%。”
当谈到Pt Chevalier/Meola Road/Westmere项目时，AT表示，29个加高的人行横道中有28个将按计划建设，只有Pt Chevalier Rd上的一个人行横道经评估将改为斑马线。 更进一步的，该机构提出，钼沉积设备将在明年迎来超10亿美元的新增市场。
“我们的审查将仔细考虑安全水平和性能。”AT表示。
该机构称，每一次从钨到钼的转换，都意味着需要新的沉积设备。
29个人行横道位于项目的主干道和支路上，其中15个在Pt Chevalier Rd, 7个在Meola Rd, 7个在Garnet Rd。
B | SemiAnalysis估计，仅2027年一年，NAND钼沉积设备的销售额就将超过10亿美元，并随着DRAM和逻辑芯片的跟进，到2030年增长至约20亿美元/年。 受益格局方面，Lam Research（泛林集团）最先获益，TEL（东京电子）紧随其后；AMAT（应用材料）、ASMI（ASM国际）及Naura（北方华创）则更多受益于后续DRAM和逻辑芯片的转型浪潮。SemiAnalysis表示，完整的细分市场层面测算已纳入其前道设备（WFE）模型。 钼渗透率在高层数NAND中提升，本质是为延续NAND单位Bit成本下降曲线。
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（图片来源：NZ Herald）
人行横道的施工即将开始，AT将繁忙的Meola Rd的关闭时间延长到了4月底，尽管在圣诞节前它曾向居民保证，该道路将最晚在上周学校和城市交通恢复正常时“完全建成”。
AT表示，Meola Rd的840米路段的重建工作已经“基本完成”，除了Meola Rd旧垃圾填埋场附近100米路段的地基需要更多维修外，大部分工程预计将在本周末完成。AT表示，740米长的沥青铺设已接近完工。
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AT决定延长关闭时间，以进行维修Meola Rd以外的工作，包括双向的越野自行车道、人行道、雨水排水、地下电线、照明，以及为居民、MOTAT和Seddon Fields重建车道。
AT表示，与关闭一条车道并且多次进行停车/通行相比，封闭道路能使Meola Rd的工程提前两个月完成，并节省40万纽币的交通管理成本。
该项目得到了社区团体的大力支持，包括六所当地学校、商业协会、Waitemata地方委员会和当地议员Mike Lee。
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在AT向居民保证将于上周重新开放道路后，Meola Rd仍然继续关闭，这导致了周边小路的交通问题，一位居民称“场面非常混乱”。 300层NAND主要在结构上升级，聚焦超高深宽比通道孔刻蚀、多次Stack堆叠、晶圆翘曲控制以及Overlay精度控制。
长期居住在Pt Chevalier的居民Georgia Hill理解升级和抬高这条道路的必要性，这里有旧的垃圾填埋场，但她对新道路的狭窄感到惊讶，而且停车位被取消了，但有大量的人使用Seddon Fields运动场和Meola Reef小狗公园。 375层乃至400层以后，材料亟需升级，因钨字线会因为字线间距通道孔缩小面临RC延迟快速恶化、WF残氟导致介质损伤、漏电失效率提升以及填充缺陷放大的问题。
F | 而钼凭借更低电阻率、无氟前驱体及无需阻隔层等优势，有望改善RC性能与器件可靠性，为字线和存储孔缩放提供工艺余量，从而延续高层数NAND的成本下降曲线。 中银证券表示，SK海力士已完成375层3D NAND生产验证并计划2026年底量产，拟采用钼材料替代钨制作字线，继三星在286层第九代3D NAND中率先导入钼工艺后，两大存储龙头相继切换，钼替代钨趋势确立。
G | 然而，钼的材料加工更为复杂，因为必须以气体形式输送，且前驱物在室温下为固体，需要加热器以确保流动稳定性。 基于此，300层以上3D NAND字线由钨切换为钼，并不是简单更换靶材或者更换气体材料，而是前驱体供给、ALD沉积腔体、刻蚀、清洗、尾气处理整套工艺链条的重构，原有钨CVD产线硬件无法直接复用，将直接推动晶圆厂资本开支上行，同时设备、特种材料、零部件均迎来变化。
“我看不出有任何改善，只有问题。”她补充说，AT不需要在自行车道和人行横道上花那么多钱。 爱建证券表示，钼导入本质是一次全流程工艺重构，设备链受益有望沿“沉积及前驱体输送→CMP及清洗→刻蚀→量检测”路径传导，工艺难点由沉积向后处理环节延伸。
H | 其中—— 沉积：成熟的WF钨工艺，Mo沉积需重新建立高深宽比结构下的填充与缺陷控制工艺窗口，同时有望减少阻隔层使用，带动沉积设备及配套工艺升级； 输送：Mo前驱体通常采用低挥发性固态源，与传统WF气态前驱体体系差异较大，需要新增气化装置、温控管路及精密供气系统，以保障前驱体稳定输送； CMP：Mo材料的氧化及表面化学特性不同于传统金属体系，需重新开发CMP研磨液和研磨垫，以满足平坦化、去除速率及缺陷控制要求； 清洗：Mo导入后残留物及氧化物体系发生变化，高深宽比结构下金属残留和污染控制难度提升，有望推动相关湿法清洗设备及配套化学品验证导入； 刻蚀环节则需重新建立适配钼材料的工艺窗口，且3DNAND层数持续提升下，刻蚀选择性、侧壁形貌控制及层间均匀性要求进一步提高，有望带动相关刻蚀设备升级需求； 量检测：Mo量产还需新增膜厚均匀性、填充缺陷、金属残留及电学可靠性等监控项目，有望带动薄膜量测、缺陷检测及电性测试等设备需求增长。
AT已将Meola Rd的宽度减至每个方向一条车道。2019年的Meola Rd规划（下图）显示，道路中央有一条平坦的隔离带，但在最新的计划中，这已经被放弃，取而代之的是一条更窄的道路。
I | 该机构称，NAND工艺迭代核心从单纯堆叠层数转向材料—设备—工艺协同创新，新材料导入将持续催生沉积、刻蚀、清洗等关键设备迭代升级，Mo字线导入将推动沉积、刻蚀、清洗等关键环节工艺升级，相关设备及零部件厂商有望受益。
（文章来源：科创板日报）。
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（图片来源：AT）
英文《先驱报》测量了Meola Rd两侧混凝土路缘之间的宽度，为6.5米，而两个集水坑之间的道路宽度为5.85米。
AT的基础设施和场地主管Murray Burt说，以前Meola Rd的宽度是9.1米，现在基本上是7米宽，包括为承受全部交通负荷而设计的1.2米的集水坑。
每条车道宽3.5米，AT表示，这比Tāmaki Drive从The Strand到Ngapipi Rd的3米车道宽得多。
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新设计包括道路变窄，取消路边停车位，并重新分配空间给行人和骑自行车的人。
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